MOSFET Vishay, canale N 600 V, 0.158 Ω Miglioramento, 19 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie SIHK155N60E-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9920
Codice costruttore:
SIHK155N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.158Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

9.9mm

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SIHK di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 19 A - SIHK155N60E-T1-GE3


Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in modalità di potenziamento ed è adatto per i sistemi elettronici che richiedono una corrente di drenaggio consistente e una gestione della potenza elevata in un ampio intervallo di temperature. Il dispositivo è progettato per il montaggio in un pacchetto compatto PowerPAK 10x12 ed è conforme ai requisiti RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di 600 V consente l'uso in stadi di potenza ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 19 A supporta correnti di carico sostenute
• La dissipazione di potenza massima di 156 W consente di gestire operazioni di commutazione pesanti
• La bassa Rds(on) di 0,158 Ω riduce le perdite di conduzione
• La carica di gate tipica di 36 nC facilita prestazioni di commutazione prevedibili
• L'azionamento gate massimo di 30 V consente il controllo gate a livello logico standard

Applicazioni


• Adatto per la commutazione sul lato primario SMPS negli alimentatori
• Ideale per gli stadi dell'inverter di azionamento del motore industriale
• Utilizzato per moduli di conversione CC-CC ad alta tensione
• Può essere utilizzato per quasi-relè e array di commutazione a stato solido
• Adatto per telecomunicazioni e apparecchiature di distribuzione dell'alimentazione industriale

Quale gamma termica può resistere in installazioni impegnative?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'implementazione in ambienti industriali difficili.

Quali sono le considerazioni di montaggio rilevanti per la gestione termica?


Il formato PowerPAK 10x12 a montaggio superficiale consente un dissipatore di calore ravvicinato e un layout del circuito stampato a bassa resistenza termica se abbinato a un'adeguata colata e viti in rame.

Quanti pin sono presenti e come influisce il layout del circuito stampato?


Il dispositivo utilizza una configurazione a 8 pin, che consente collegamenti di drain, source e gate dedicati per un routing compatto ad alta corrente.

Qual è la tensione diretta tipica e dove è rilevante?


La tensione diretta è di 1,2 V, il che è rilevante per gli scenari di conduzione corpo-diodo e le prestazioni di recupero inverso durante i transienti di commutazione.

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