MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.158 Ω Miglioramento, 19 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie SIHK155N60E-T1-GE3
- Codice RS:
- 279-9920
- Codice costruttore:
- SIHK155N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 279-9920
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- SIHK155N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.158Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 156W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 9.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.158Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 156W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 9.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie SIHK di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 19 A - SIHK155N60E-T1-GE3
Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N in modalità di potenziamento ad alta tensione progettato per la conversione di potenza a montaggio superficiale e le applicazioni di controllo. È adatto per circuiti che richiedono un robusto blocco drain-source a tensioni elevate mentre funzionano in un'ampia gamma di temperature.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 600 V consente progetti ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 19 A supporta correnti di carico sostanziali • L'Rds(on) di 0,158 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento • Carica gate tipica 36 nC per prestazioni di commutazione prevedibili • La dissipazione di potenza 156 W consente una gestione del calore prolungata • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C tollera sollecitazioni termiche elevate
Applicazioni
• Adatto per interruttori SMPS primari offline negli alimentatori • Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale • Utilizzato per convertitori CC-CC ad alta tensione nei sistemi di automazione • Può essere utilizzato per la commutazione dello stadio di uscita dell'inverter negli azionamenti elettrici • Utilizzato per carichi in modalità commutata nelle apparecchiature di controllo meccanico
Quale contenitore è necessario tenere conto quando si posiziona la scheda?
Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK10x12 a 8 pin, che richiede un ingombro compatibile con la disposizione del cavo e del tampone termico.
Quale intervallo di tensione del gate è sicuro per i circuiti di controllo?
La tensione massima consentita da gate a sorgente è di 30 V, pertanto i circuiti driver devono mantenere le escursioni di gate entro questo limite.
Come si comporta termicamente sotto carico?
Può dissipare fino a 156 W
la gestione termica deve garantire che la temperatura di giunzione-ambiente rimanga entro i limiti per un funzionamento affidabile fino a 150 °C.
Esistono considerazioni ambientali o normative sulla progettazione?
È conforme alla direttiva RoHS, consentendo l'uso in progetti che limitano le sostanze pericolose.
Quale caratteristica di commutazione influisce sulla selezione del driver?
La carica di gate tipica è di 36 nC alla tensione di gate nominale, che determina la corrente di azionamento richiesta e i compromessi di velocità di commutazione.
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