MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 9 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIHA150N60E-GE3

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona come transistor in modalità di miglioramento adatto per ambienti di controllo industriali ed elettronici in cui è richiesta una gestione ad alta tensione e un assemblaggio compatto.

• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 9 A supporta carichi di potenza moderati • L'RDS(on) di 0,158 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza • La carica di gate tipica di 36 nC consente una temporizzazione dell'azionamento prevedibile • La dissipazione di potenza di 179 W gestisce un carico termico sostanziale • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C consente l'uso a temperature elevate

• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione • Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale • Utilizzato per gli interruttori del lato primario dell'alimentatore in modalità switching • Può essere utilizzato per la commutazione induttiva del carico nei sistemi di automazione

Il gate deve essere azionato entro ±30 V con una carica tipica del gate di 36 nC

Con una capacità di dissipazione di 179 W e una temperatura di giunzione massima di 150 °C, utilizzare vie termiche per circuito stampato, area in rame o dissipatore di calore appropriati per mantenere la temperatura di giunzione entro i limiti.

Non è specificato come conforme agli standard automobilistici, pertanto non deve essere considerato adatto per applicazioni automobilistiche certificate senza ulteriore convalida.

Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK SO‐8DC con otto pin