MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP150N60E-GE3

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MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 22 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP150N60E-GE3
Codice RS
268-8320

1pz in confezione da 2

9,21 €

(IVA esclusa)

11,24 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
268-8319
Codice costruttore:
SIHP150N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

SIHP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.158Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET serie SIHP Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 22 A - SIHP150N60E-GE3


Questo MOSFET a canale n è un transistor di potenza ad alta tensione progettato per attività di commutazione e amplificazione in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in modo affidabile in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un contenitore TO-220AB a foro passante adatto per il montaggio su scheda convenzionale. Il dispositivo è conforme alle direttive RoHS ed è destinato ad applicazioni che richiedono una gestione di tensione consistente e una capacità di corrente moderata.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente l'uso nella commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 22 A supporta un flusso di carico sostenuto
• Rds(on) di 0,158 Ω riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La carica di gate tipica di 36 nC consente di ottenere profili di commutazione prevedibili
• La dissipazione di potenza massima di 179 W gestisce un carico termico significativo

Applicazioni


• Adatto per la commutazione primaria SMPS ad alta tensione
• Ideale per gli stadi inverter dei motori industriali
• Utilizzato con alimentatori nella rettifica delle telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per i front-end degli inverter fotovoltaici

Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati durante la progettazione dell'azionamento?


Il gate non deve essere azionato oltre ±30 V rispetto alla sorgente per evitare lo stress da ossido di gate e garantire l'affidabilità a lungo termine.

In che modo la gestione termica influisce sulla gestione pratica dell'alimentazione?


La potenza nominale di dissipazione di 179 W richiede un dissipatore di calore adeguato e un'interfaccia termica per mantenere la temperatura di giunzione al di sotto dei 150 °C in caso di carico continuo.

Quale intervallo di temperatura ambiente possono aspettarsi i sistemi intorno a questo dispositivo?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con freddo estremo e condizioni termiche elevate se montato correttamente.

In che modo la modalità del canale del dispositivo influisce sul comportamento del circuito?


Essendo un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento, rimane disattivato a polarizzazione gate zero e richiede un azionamento gate positivo per condurre, semplificando il controllo nelle topologie low-side e high-side.

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