MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.084 Ω Miglioramento, 34 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP085N60EF-GE3

Codice RS:: 268-8318
Codice costruttore:: SIHP085N60EF-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.084 Ω Miglioramento, 34 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP085N60EF-GE3

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Codice RS:: 268-8318
Codice costruttore:: SIHP085N60EF-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	34A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	JEDEC TO-220AB
	Serie	SIHP
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.084Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	63nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	184W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 34A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package JEDEC TO-220AB
	Serie SIHP
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.084Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 184W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHP085N60EF-GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET serie SIHP di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 34 A - SIHP085N60EF-GE3

Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per l'assemblaggio a foro passante in circuiti di potenza impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature, il che lo rende adatto per gli ambienti in cui è richiesta la robustezza termica, e offre una notevole capacità di corrente continua e gestione della tensione per le attività di conversione e commutazione.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 34 A supporta le applicazioni con carichi pesanti
• Il basso valore di RDS(on) di 0,084 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza 184 W consente un funzionamento ad alta potenza
• La carica di gate tipica a 63 nC consente transizioni di commutazione controllate
• La tensione diretta di 1.2 V riduce la conduzione da corpo a corpo

Applicazioni

• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione
• Ideale per alimentatori switching nei sistemi industriali
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore che richiedono una gestione di corrente elevata
• Può essere utilizzato per topologie di commutazione rigida e recupero di energia
• Adatto per laboratorio e prototipazione con montaggio a foro passante

Quale metodo di montaggio è necessario per l'assemblaggio della scheda?

È fornito in un contenitore TO-220AB progettato per il montaggio a foro passante e opzioni di dissipazione standard.

Quali limiti di tensione dell'azionamento del gate devo rispettare?

La tensione massima gate-sorgente è di 30 V, pertanto i circuiti gate-drive devono rimanere entro questo limite per evitare danni.

In che modo è in grado di gestire temperature estreme durante il funzionamento?

Il dispositivo è classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso su ampie temperature ambientali e di giunzione elevate.

Quale polarità e modalità presenta il canale per la progettazione dei circuiti?

Si tratta di un dispositivo in modalità di potenziamento a canale N, che richiede una polarizzazione positiva del gate rispetto alla sorgente per la conduzione.