MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.084 Ω Miglioramento, 34 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante SIHP085N60EF-GE3
- Codice RS:
- 268-8318
- Codice costruttore:
- SIHP085N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 268-8318
- Codice costruttore:
- SIHP085N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 34A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.084Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 184W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 34A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SIHP | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.084Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 184W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET serie SIHP di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 34 A - SIHP085N60EF-GE3
Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza in sistemi industriali ed elettronici. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è fornito in un contenitore TO‐220AB a foro passante per un montaggio semplice e una gestione termica. Il dispositivo è adatto per le applicazioni che richiedono una commutazione controllata ad alta tensione e una notevole gestione della corrente continua.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 34 A supporta il funzionamento con carichi pesanti • La resistenza di accensione di 0,084 Ω riduce le perdite di conduzione • La dissipazione di potenza di 184 W consente una gestione della potenza elevata • La carica di gate tipica a 63 nC consente requisiti di azionamento prevedibili • La temperatura di giunzione massima di 150 °C supporta il funzionamento ad alta temperatura
Applicazioni
• Adatto per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale • Ideale per gli interruttori ad alta tensione di alimentazione a commutazione • Utilizzato per la conversione di potenza nei sistemi di controllo dell'automazione • Può essere utilizzato per moduli di commutazione front-end inverter • Adatto per piattaforme di test da laboratorio che richiedono il montaggio a foro passante
Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo tenere in considerazione?
Con una carica gate tipica di 63 nC a Vgs, assicurarsi che il driver gate possa generare e dissipare una corrente sufficiente per ottenere la velocità di commutazione richiesta durante il controllo EMI.
In che modo il contenitore influisce sulla progettazione termica?
Il formato a foro passante TO‐220AB consente un facile fissaggio a un dissipatore e un percorso termico diretto per gestire fino a 184 W di dissipazione in condizioni di dissipazione adeguate.
Quale gamma di ambienti operativi tollera?
Il dispositivo funziona da -55 °C fino a una temperatura d'esercizio massima di 150 °C, consentendo l'uso in installazioni con avviamento a freddo e a temperatura elevata.
Come proteggere il dispositivo da eventi di sovratensione?
Poiché il transistor ha una tensione massima di drenaggio-sorgente di 650 V e un limite di gate di 30 V, includere snubber appropriati, diodi a morsetto o soppressori di transienti e garantire che l'azionamento del gate non superi mai il limite di sorgente del gate.
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