MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.084 Ω Miglioramento, 34 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB085N60EF-GE3

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Codice RS:
268-8291
Codice costruttore:
SIHB085N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SIHB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.084Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SIHB di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 34 A - SIHB085N60EF-GE3


Questo MOSFET è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente ed è adatto per i circuiti che richiedono una corrente di drenaggio consistente e una capacità di tensione drain-sorgente elevata. Il componente è fornito in un contenitore TO-263 per la gestione termica su stadi di potenza montati su circuito stampato.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 34 A supporta la gestione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.084 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica totale del gate di 63 nC consente una progettazione prevedibile del gate drive
• La dissipazione di potenza di 184 W favorisce layout ad alta densità di potenza
• Il limite Vgs 30 V supporta robusti margini di tensione gate

Applicazioni


• Ideale per i convertitori di potenza nelle alimentazioni industriali
• Adatto per le fasi di commutazione degli inverter ad alta tensione
• Utilizzato per i transistor di commutazione front-end con azionamento a motore
• Può essere utilizzato per la regolazione della guida di alimentazione delle telecomunicazioni
• Consigliato per gli interruttori primari di alimentazione a commutazione

Quali vantaggi del pacchetto aiutano la progettazione termica dei circuiti stampati?


Il formato a montaggio superficiale TO-263 offre un'ampia area termica e una linguetta in metallo per migliorare il trasferimento del calore alla scheda e le disposizioni esterne del dissipatore.

In che modo la carica del gate influisce sulla selezione del circuito di azionamento?


La carica del gate di 63 nC determina la corrente del driver richiesta e le perdite di commutazione

i driver per gate devono generare e dissipare una corrente sufficiente per le velocità di transizione desiderate per bilanciare l'efficienza e le EMI.

Quale intervallo di temperatura è in grado di sopportare durante il funzionamento?


Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C di giunzione o condizioni ambientali definite dal raffreddamento del sistema, consentendo l'uso in ambienti termici difficili.

Esistono restrizioni normative per l'uso?


Il componente è conforme alle direttive RoHS, il che indica che soddisfa i requisiti sulle sostanze soggette a restrizioni per gli assemblaggi elettronici.

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