MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.084 Ω Miglioramento, 34 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB085N60EF-GE3

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Codice RS:
268-8291
Codice costruttore:
SIHB085N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Serie

SIHB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.084Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo corpo rapido e tecnologia serie E di 4 generazioni. Ha una riduzione delle perdite di commutazione e di conduzione ed è utilizzato in applicazioni come gli alimentatori switching, gli alimentatori per server e la correzione del fattore di potenza

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Bassa cifra di merito

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