MOSFET Vishay, canale Canale N 650 V, 0.24 Ω Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-263, Montaggio superficiale SIHB240N65E-GE3
- Codice RS:
- 735-205
- Codice costruttore:
- SIHB240N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 735-205
- Codice costruttore:
- SIHB240N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | E Series | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.24Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 147W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie E Series | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.24Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 147W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- IL
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