MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.033 Ω, 24 A, TO-263, Superficie SIHB24N65E-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7413
Codice costruttore:
SIHB24N65E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.033Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I mosfet di potenza serie E Vishay Semiconductor presentano una bassa cifra di merito (FOM) Ron x Qg e una bassa capacità di ingresso (Ciss).

Perdite di commutazione e di conduzione ridotte

Carica gate ultra bassa (Qg)

Energia a valanga (UIS)

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