MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.033 Ω, 24 A, TO-263, Superficie SIHB24N65E-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

5,95 €

(IVA esclusa)

7,26 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 979 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 95,95 €
10 - 245,36 €
25 - 995,08 €
100 - 4994,48 €
500 +3,85 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7413
Codice costruttore:
SIHB24N65E-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.033Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I mosfet di potenza serie E Vishay Semiconductor presentano una bassa cifra di merito (FOM) Ron x Qg e una bassa capacità di ingresso (Ciss).

Perdite di commutazione e di conduzione ridotte

Carica gate ultra bassa (Qg)

Energia a valanga (UIS)

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.