MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.033 Ω, 15 A, TO-263, Superficie SIHB15N60E-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7411
Codice costruttore:
SIHB15N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.033Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I mosfet di potenza D2PAK serie E Vishay Semiconductor sono i dispositivi di alimentazione più comunemente utilizzati grazie alla bassa potenza dell'azionamento del gate, alla velocità di commutazione rapida e alle eccellenti capacità di parallelo.

Bassa cifra di merito Ron x Qg

Bassa capacità di ingresso

Perdite di commutazione e di conduzione ridotte

Carica gate ultra bassa

Energia valanga

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