MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.28 Ω, 15 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB15N60E-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7411
Codice costruttore:
SIHB15N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.28Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

180W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 15 A - SIHB15N60E-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e conversione di potenza nell'elettronica industriale. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è fornito in un contenitore compatto a montaggio superficiale adatto per la gestione termica in gruppi di alimentazione a livello di scheda.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente continua da 15 A supporta carichi di media potenza • La resistenza di accensione di 0,28 Ω riduce le perdite di conduzione • La carica di gate tipica di 78 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile • La dissipazione di potenza di 180 W supporta una gestione del carico elevata • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C resiste a elevate sollecitazioni termiche

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione • Ideale per la commutazione motore-azionamento nei sistemi di automazione • Utilizzato per l'illuminazione industriale e i circuiti di controllo del ballast • Può essere utilizzato per la gestione dell'energia e gli stadi dell'inverter • Utilizzato con schede dissipate termicamente nei moduli di distribuzione dell'alimentazione

Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare durante la progettazione?


Il dispositivo non deve essere sottoposto a tensioni gate-source superiori a 30 V per evitare lo stress da ossido gate.

Come devono essere gestite le condizioni termiche su un circuito stampato?


Progettare un tampone in rame dedicato e un'area di diffusione del calore per il contenitore TO-263 per mantenere le temperature di giunzione al di sotto dei limiti nominali in base alla dissipazione di potenza specificata.

Quale intervallo di temperatura ambientale si può prevedere che i componenti tollerino?


È specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a +150 °C, il che lo rende adatto per condizioni ambientali difficili e scenari di giunzione rialzata.

Questo dispositivo è conforme ai livelli di specifiche automobilistiche?


Non è classificato come componente di livello automobilistico e deve essere valutato di conseguenza per le applicazioni dei veicoli.

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