MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 0.28 Ω, 15 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB15N60E-GE3

Codice RS:: 256-7411
Codice costruttore:: SIHB15N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 0.28 Ω, 15 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB15N60E-GE3

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Codice RS:: 256-7411
Codice costruttore:: SIHB15N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	15A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Serie	E
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.28Ω
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	78nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	180W
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 15A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Serie E
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.28Ω
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 78nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 180W
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHB15N60E-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 15 A - SIHB15N60E-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per l'elettronica di potenza a montaggio superficiale. Fornisce una conduzione a canale N adatta per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in assemblaggi industriali e commerciali, operando in un ampio intervallo di temperatura ambiente per ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 15 A supporta correnti di carico sostanziali
• Rds(on) di 0,28 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 180 W gestisce sollecitazioni termiche elevate
• La carica gate di 78 nC a 30 V Vgs consente requisiti di azionamento prevedibili
• Il pacchetto superficiale TO‐263 semplifica l'assemblaggio del circuito stampato per le fasi di potenza

Applicazioni

• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione front-end dell'azionamento del motore
• Utilizzato per il ballast di illuminazione e i controlli industriali
• Può essere utilizzato per la conversione di potenza negli inverter rinnovabili
• Utilizzato con schede di gestione termica per moduli ad alta potenza

Quale intervallo di tensione dell'azionamento del gate deve essere rispettato?

Il dispositivo tollera tensioni di gate fino a 30 V, pertanto i circuiti di azionamento devono rimanere entro questo limite per evitare sovratensioni di gate.

In che modo l'ambiente termico influisce sull'affidabilità?

Le giunzioni possono funzionare in ambienti da -55 °C a +150 °C, richiedendo un dissipatore di calore adeguato o rame per circuito stampato per un uso prolungato ad alta potenza.

Quali sono le considerazioni sull'imballaggio per la progettazione dei circuiti stampati?

Il profilo a montaggio superficiale a 3 pin TO‐263 richiede grandi tamponi termici e brevi tracce ad alta corrente per ridurre la resistenza parassita e migliorare il raffreddamento.

È adatto per applicazioni di trasmissione automobilistiche?

Non è classificato secondo gli standard automobilistici, pertanto non deve essere utilizzato nei casi in cui sono richieste qualifiche specifiche per il settore automobilistico.