MOSFET Vishay, canale N 600 V, 54 mΩ, 47 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB053N60E-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-9910
Codice costruttore:
SIHB053N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

47A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

54mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

92nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.88mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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