MOSFET Vishay, canale N 600 V, 54 mΩ, 47 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB053N60E-GE3

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Codice RS:
225-9909
Codice costruttore:
SIHB053N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

47A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

54mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

92nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.88mm

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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