MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 168 mΩ Miglioramento, 8.4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SiHB186N60EF-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

5,89 €

(IVA esclusa)

7,185 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 175 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +1,178 €5,89 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-4975
Codice costruttore:
SiHB186N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

168mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

14.61mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.06mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di contenitore del tipo D2PAK (TO-263).

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Link consigliati