MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 168 mΩ Miglioramento, 8.4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SiHB186N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-4975
Codice costruttore:
SiHB186N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

168mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

14.61mm

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.06mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di contenitore del tipo D2PAK (TO-263).

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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