MOSFET Vishay, canale N, 0,168 Ω, 8,4 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 210-4975
- Codice costruttore:
- SiHB186N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per 1pz in confezione da 5
2,634 €
(IVA esclusa)
3,213 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,634 € | 13,17 € |
| 50 - 120 | 2,368 € | 11,84 € |
| 125 - 245 | 2,106 € | 10,53 € |
| 250 - 495 | 1,92 € | 9,60 € |
| 500 + | 1,656 € | 8,28 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 210-4975
- Codice costruttore:
- SiHB186N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di contenitore del tipo D2PAK (TO-263).
Tecnologia della serie e di 4th generazione
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 8,4 A |
| Tensione massima drain source | 600 V |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Serie | EF |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 0,168 Ω |
| Tensione di soglia gate massima | 3 → 5V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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