MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 68 mΩ Miglioramento, 41 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB068N60EF-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

33,90 €

(IVA esclusa)

41,35 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 206,78 €33,90 €
25 - 455,762 €28,81 €
50 - 1205,426 €27,13 €
125 - 2455,088 €25,44 €
250 +4,884 €24,42 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7244
Codice costruttore:
SIHB068N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

41A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SiHB068N60EF

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

68mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

14.61mm

Altezza

4.06mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di una tecnologia serie e di 4th generazione. Ha perdite di conduzione e commutazione ridotte.

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Link consigliati