MOSFET Vishay, canale N 600 V, 2.2 Ω Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHFBC30AS-GE3

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Codice RS:
165-6093
Codice costruttore:
SIHFBC30AS-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

SiHFBC30AS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Dissipazione di potenza massima Pd

74W

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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