MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 2.2 Ω Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHFBC30AS-GE3

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Codice RS:
165-6093
Codice costruttore:
SIHFBC30AS-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SiHFBC30AS

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

74W

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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