MOSFET Vishay, canale N, 2,2 Ω, 3,6 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 815-2698
Codice costruttore:: SIHFBC30AS-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 2,2 Ω, 3,6 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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250 - 490	1,277 €	12,77 €
500 - 990	1,202 €	12,02 €
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Codice RS:: 815-2698
Codice costruttore:: SIHFBC30AS-GE3
Costruttore:: Vishay

IRFBC30AS, SiHFBC30AS, IRFBC30AL, SiHFBC30AL, Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,6 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	74 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	9.65mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.67mm
Carica gate tipica @ Vgs	23 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 2,2 Ω, 3,6 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor

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