MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 64 mΩ Miglioramento, 47 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SiHG47N60E-GE3
- Codice RS:
- 768-9332
- Codice costruttore:
- SiHG47N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 768-9332
- Codice costruttore:
- SiHG47N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 47A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 64mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 147nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 357W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 20.7mm | |
| Larghezza | 5.31 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 47A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 64mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 147nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 357W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 20.7mm | ||
Larghezza 5.31 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N, serie E, bassa figura di merito, Vishay Semiconductor
I MOSFET di potenza serie E di Vishay sono transistori ad alta tensione con resistenza massima ultra-bassa, bassa figura di merito e commutazione rapida. Sono disponibili in un'ampia gamma di correnti nominali. Le applicazioni tipiche includono server e alimentatori di telecomunicazione, illuminazione a LED, convertitori flyback, correzione del fattore di potenza (PFC) e alimentatori switching (SMPS).
Caratteristiche
Bassa figura di merito (FOM) RDS(on) x Qg
Bassa capacità di ingresso (Ciss)
Bassa resistenza (RDS(on))
Carica del gate ultrabassa (Qg)
Commutazione rapida
Perdite di conduzione e commutazione ridotte