MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 52 mΩ Miglioramento, 48 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SIHG052N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7207
Codice costruttore:
SIHG052N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

48A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Serie

SiHG052N60EF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

101nC

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

20.7mm

Lunghezza

15.87mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di una tecnologia serie e di 4th generazione. Ha perdite di conduzione e commutazione ridotte.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er)

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