MOSFET Vishay, canale N 600 V, 98 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SIHG33N60EF-GE3

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Codice RS:
178-0893
Codice costruttore:
SIHG33N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Serie

EF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

98mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

103nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

20.82mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.31mm

Lunghezza

15.87mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N con diodo rapido, serie EF, Vishay Semiconductor


Tempo di recupero inverso, carica di recupero inverso e corrente di recupero inverso ridotti

Bassa figura di merito (FOM)

Bassa capacità di ingresso (Ciss)

Maggiore robustezza grazie a una bassa carica di recupero inverso

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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