MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 98 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 178-0893
- Codice costruttore:
- SIHG33N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-0893
- Codice costruttore:
- SIHG33N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 98mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 103nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.31 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 98mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 103nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Altezza 20.82mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.31 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET a canale N con diodo rapido, serie EF, Vishay Semiconductor
Tempo di recupero inverso, carica di recupero inverso e corrente di recupero inverso ridotti
Bassa figura di merito (FOM)
Bassa capacità di ingresso (Ciss)
Maggiore robustezza grazie a una bassa carica di recupero inverso
Carica del gate ultrabassa (Qg)