MOSFET onsemi, canale Tipo N 600 V, 99 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247, Superficie

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Codice RS:
230-9088
Codice costruttore:
NTHL099N60S5
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Serie

SUPERFET V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

41.07mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.82 mm

Lunghezza

15.87mm

Standard automobilistico

No

La serie on Semiconductor di MOSFET SUPERFET V è la famiglia di MOSFET a giunzione super−(SJ) ad alta tensione di quinta generazione da on Semiconductor. SUPERFET V offre i migliori FOM della categoria−−(RDS(ON)·QG e RDS(ON)·EOSS) per migliorare non solo il carico pesante ma anche l'efficienza con carico leggero. La serie 600 V SUPERET V offre vantaggi progettuali grazie a perdite di conduzione e commutazione ridotte, supportando al contempo valori nominali DVD/dt del MOSFET estremi a 120 V/ns e valori nominali DVD/dt del diodo ad alto corpo a 50 V/ns. Di conseguenza, la serie MOSFET Easy Drive SUPERFET V combina eccellenti prestazioni di commutazione senza sacrificare la facilità d'uso per topologie di commutazione sia hard che soft. Aiuta a gestire i problemi EMI e consente un'implementazione più semplice della progettazione con un'eccellente efficienza del sistema.

Carica di gate ultra bassa (tip. QG= 48 NC)

Bassa perdita di commutazione

Bassa capacità di uscita correlata al tempo (tip. COSS(tr.)= 642 pF)

Bassa perdita di commutazione

Capacità ottimizzata

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

650 V @ TJ = 150 °C.

Tip. RDS(ON) = 79,2 m Ω

Testato al 100% con effetto valanga

Conformità RoHS

Resistenza di gate interna: 6,9 Ω

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