MOSFET onsemi, canale N, 0,041 Ω, 57 A, TO-247, Su foro

La serie on Semiconductor di MOSFET SUPERFET V è la famiglia di MOSFET a giunzione super−(SJ) ad alta tensione di quinta generazione da on Semiconductor. SUPERFET V offre i migliori FOM della categoria−−(RDS(ON)·QG e RDS(ON)·EOSS) per migliorare non solo il carico pesante ma anche l'efficienza con carico leggero. La serie 600 V SUPERET V offre vantaggi progettuali grazie a perdite di conduzione e commutazione ridotte, supportando al contempo valori nominali DVD/dt del MOSFET estremi a 120 V/ns. Di conseguenza, la serie MOSFET SUPERFET V FAST contribuisce a ottimizzare l'efficienza del sistema e la densità di potenza.

Testato al 100% con effetto valanga
Conformità RoHS
Tip. RDS(ON) = 32,8 mΩ
Resistenza di gate interna: 0,6 Ω
Carica di gate ultra bassa (tip. QG = 108 NC)