MOSFET onsemi, canale Tipo N 600 V, 41 mΩ Miglioramento, 57 A, 3 Pin, TO-247, Superficie NTHL041N60S5H

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
230-9087
Codice costruttore:
NTHL041N60S5H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

57A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SUPERFET V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

329W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

108nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.87mm

Altezza

41.07mm

Larghezza

4.82 mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS

Standard automobilistico

No

La serie on Semiconductor di MOSFET SUPERFET V è la famiglia di MOSFET a giunzione super−(SJ) ad alta tensione di quinta generazione da on Semiconductor. SUPERFET V offre i migliori FOM della categoria−−(RDS(ON)·QG e RDS(ON)·EOSS) per migliorare non solo il carico pesante ma anche l'efficienza con carico leggero. La serie 600 V SUPERET V offre vantaggi progettuali grazie a perdite di conduzione e commutazione ridotte, supportando al contempo valori nominali DVD/dt del MOSFET estremi a 120 V/ns. Di conseguenza, la serie MOSFET SUPERFET V FAST contribuisce a ottimizzare l'efficienza del sistema e la densità di potenza.

Testato al 100% con effetto valanga

Conformità RoHS

Tip. RDS(ON) = 32,8 mΩ

Resistenza di gate interna: 0,6 Ω

Carica di gate ultra bassa (tip. QG = 108 NC)

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