MOSFET onsemi, canale N, 0,099 Ω, 33 A, TO-247, Su foro

La serie on Semiconductor di MOSFET SUPERFET V è la famiglia di MOSFET a giunzione super−(SJ) ad alta tensione di quinta generazione da on Semiconductor. SUPERFET V offre i migliori FOM della categoria−−(RDS(ON)·QG e RDS(ON)·EOSS) per migliorare non solo il carico pesante ma anche l'efficienza con carico leggero. La serie 600 V SUPERET V offre vantaggi progettuali grazie a perdite di conduzione e commutazione ridotte, supportando al contempo valori nominali DVD/dt del MOSFET estremi a 120 V/ns e valori nominali DVD/dt del diodo ad alto corpo a 50 V/ns. Di conseguenza, la serie MOSFET Easy Drive SUPERFET V combina eccellenti prestazioni di commutazione senza sacrificare la facilità d'uso per topologie di commutazione sia hard che soft. Aiuta a gestire i problemi EMI e consente un'implementazione più semplice della progettazione con un'eccellente efficienza del sistema.

Carica di gate ultra bassa (tip. QG= 48 NC)
Bassa perdita di commutazione
Bassa capacità di uscita correlata al tempo (tip. COSS(tr.)= 642 pF)
Bassa perdita di commutazione
Capacità ottimizzata
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
650 V @ TJ = 150 °C.
Tip. RDS(ON) = 79,2 m Ω
Testato al 100% con effetto valanga
Conformità RoHS
Resistenza di gate interna: 6,9 Ω