- Codice RS:
- 189-0397
- Codice costruttore:
- NTHL033N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
450 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Unità
17,83 €
(IVA esclusa)
21,75 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 9 | 17,83 € |
10 - 24 | 17,35 € |
25 - 99 | 16,90 € |
100 - 249 | 16,46 € |
250 + | 16,05 € |
- Codice RS:
- 189-0397
- Codice costruttore:
- NTHL033N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è la nuova famiglia di MOSFET a giunzione super-tensione (SJ) che utilizza la tecnologia a bilanciamento di carica per una bassa resistenza on-resistance e prestazioni di carica a gate inferiore. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto ai vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e la maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo body del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.
700 V a TJ = 150 °C
Carica gate ultra bassa (Typ. QG = 188 nC)
Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 1568 pF)
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Capacità ottimizzata
Tip. RDS(on) = 28 mΩ
Vantaggi
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Applications
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Prodotti finali
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS
Carica gate ultra bassa (Typ. QG = 188 nC)
Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 1568 pF)
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Capacità ottimizzata
Tip. RDS(on) = 28 mΩ
Vantaggi
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Applications
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Prodotti finali
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 70 A |
Tensione massima drain source | 650 V |
Tipo di package | TO-247 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 33 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 5V |
Tensione di soglia gate minima | 3V |
Dissipazione di potenza massima | 500 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | ±30 V |
Carica gate tipica @ Vgs | 188 nC a 10 V |
Larghezza | 4.82mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Lunghezza | 15.87mm |
Altezza | 20.82mm |
Tensione diretta del diodo | 1.3V |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
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