MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 33 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL033N65S3HF
- Codice RS:
- 189-0397
- Codice costruttore:
- NTHL033N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
12,00 €
(IVA esclusa)
14,64 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Pochi pezzi in magazzino
A causa delle limitazioni nella catena di approvvigionamento, le scorte vengono assegnate man mano che si rendono disponibili.
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 12,00 € |
| 10 + | 10,34 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 189-0397
- Codice costruttore:
- NTHL033N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 70A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 33mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 188nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 70A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 188nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 20.82mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è la nuova famiglia di MOSFET a giunzione super-tensione (SJ) che utilizza la tecnologia a bilanciamento di carica per una bassa resistenza on-resistance e prestazioni di carica a gate inferiore. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto ai vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e la maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo body del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.
700 V a TJ = 150 °C
Carica gate ultra bassa (Typ. QG = 188 nC)
Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 1568 pF)
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Capacità ottimizzata
Tip. RDS(on) = 28 mΩ
Vantaggi
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Applications
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Prodotti finali
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS
Link consigliati
- MOSFET onsemi 33 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET onsemi 33 mΩ N 3 Pin Foro passante NVHL023N065M3S
- MOSFET onsemi 23 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante NTHL023N065M3S
- MOSFET onsemi 40 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 79 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 91 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET onsemi 40 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie NTH4LN040N65S3H
- MOSFET STMicroelectronics 79 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante STW42N65M5