MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 33 mΩ N, 70 A, 3 Pin, TO-247-4L, Foro passante NVHL023N065M3S

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
327-810
Codice costruttore:
NVHL023N065M3S
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247-4L

Serie

NVH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Dissipazione di potenza massima Pd

263W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

4.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pb-Free, Halide Free and RoHS with Exemption 7a

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
La ON Semiconductor Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) EliteSiC è un dispositivo da 650 V, 23 mΩ in contenitore M3S TO-247-3L. Progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni, offre una bassa resistenza di accensione e caratteristiche di commutazione superiori, che lo rendono ideale per l'uso in applicazioni di elettronica di potenza esigenti, compresi i sistemi industriali e automobilistici.

I dispositivi sono privi di Pb e conformi alla normativa RoHS

Qualificato per il settore automobilistico secondo AEC Q101

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