MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 23 mΩ Miglioramento, 67 A, 4 Pin, TO-247-4L, Foro passante NTH4L023N065M3S

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-043
Codice costruttore:
NTH4L023N065M3S
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

67A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NTH

Tipo di package

TO-247-4L

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Tensione diretta Vf

6V

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI

Paese di origine:
CN
I MOSFET SiC di ON Semiconductor sono ottimizzati per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con una tensione di gate negativa e spegne i picchi sul gate. Le prestazioni sono ottimali quando viene pilotato con un gate drive da 18 V, ma funziona bene anche con un gate drive da 15 V.

Carica di gate ultra bassa

Commutazione ad alta velocità con bassa capacità

Valanga testata al 100%

Il dispositivo è privo di alogenuri e conforme alla normativa RoHS

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