MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 23 mΩ Miglioramento, 67 A, 4 Pin, TO-247-4L, Foro passante NTH4L023N065M3S

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

10,60 €

(IVA esclusa)

12,93 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 438 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 910,60 €
10 - 999,55 €
100 - 4998,80 €
500 - 9998,17 €
1000 +6,62 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-043
Codice costruttore:
NTH4L023N065M3S
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

67A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247-4L

Serie

NTH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

6V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI

Paese di origine:
CN
I MOSFET SiC di ON Semiconductor sono ottimizzati per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con una tensione di gate negativa e spegne i picchi sul gate. Le prestazioni sono ottimali quando viene pilotato con un gate drive da 18 V, ma funziona bene anche con un gate drive da 15 V.

Carica di gate ultra bassa

Commutazione ad alta velocità con bassa capacità

Valanga testata al 100%

Il dispositivo è privo di alogenuri e conforme alla normativa RoHS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.