MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 44 mΩ N, 50 A, 4 Pin, TO-247-4L, Foro passante NVH4L032N065M3S

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
327-808
Codice costruttore:
NVH4L032N065M3S
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NVH

Tipo di package

TO-247-4L

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

44mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

4.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

187W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS 7a

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) di ON Semiconductor, EliteSiC, è un dispositivo da 650 V, 32 mΩ in contenitore M3S TO-247-4L. È stato progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni, offrendo una bassa resistenza di accensione ed eccellenti capacità di commutazione. Questo dispositivo è ideale per l'uso in sistemi di conversione di potenza ad alta efficienza, comprese le applicazioni automobilistiche, industriali e di energia rinnovabile.

I dispositivi sono privi di Pb e conformi alla normativa RoHS

Qualificato per il settore automobilistico secondo AEC Q101

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