MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 44 mΩ N, 50 A, 4 Pin, TO-247-4L, Foro passante NTH4L032N065M3S
- Codice RS:
- 327-805
- Codice costruttore:
- NTH4L032N065M3S
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 327-805
- Codice costruttore:
- NTH4L032N065M3S
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | NTH | |
| Tipo di package | TO-247-4L | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 44mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 187W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 55nC | |
| Tensione diretta Vf | 6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie NTH | ||
Tipo di package TO-247-4L | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 44mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 187W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 55nC | ||
Tensione diretta Vf 6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) di ON Semiconductor, EliteSiC, è un dispositivo da 650 V, 32 mΩ in contenitore M3S TO247-4L. Presenta una carica di gate bassissima (QG(tot) = 55 nC) e una commutazione ad alta velocità con una bassa capacità (Coss = 114 pF). Il dispositivo è testato al 100% contro le valanghe, è privo di alogenuri e conforme alla direttiva RoHS 7a. È inoltre privo di Pb sull'interconnessione di secondo livello, il che lo rende adatto alle applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.
Alta efficienza e perdite di commutazione ridotte
Funzionamento robusto e affidabile in ambienti difficili
Ideale per applicazioni industriali e di energia rinnovabile nel settore automobilistico
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