MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 44 mΩ N, 50 A, 4 Pin, TO-247-4L, Foro passante NVH4L023N065M3S

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

17,13 €

(IVA esclusa)

20,90 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 450 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 917,13 €
10 - 9915,41 €
100 +14,21 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
327-806
Codice costruttore:
NVH4L023N065M3S
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247-4L

Serie

NVH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

44mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

4.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

187W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±22 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) di ON Semiconductor, EliteSiC, è un dispositivo da 650 V, 23 mΩ in contenitore M3S TO-247-4L. È progettato per la conversione di potenza ad alta efficienza e ad alte prestazioni, con bassa resistenza di accensione e commutazione rapida. Ideale per applicazioni nei sistemi automobilistici, industriali e di energia rinnovabile, questo MOSFET garantisce un funzionamento affidabile in condizioni difficili.

I dispositivi sono privi di Pb e conformi alla normativa RoHS

Qualificato per il settore automobilistico secondo AEC Q101

Link consigliati