MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 107 mΩ Miglioramento, 44 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NVHL072N65S3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-1537
Codice costruttore:
NVHL072N65S3
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SuperFET III MOSFET Easy-drive

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

107mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

312W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

82nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

20.82mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.87mm

Larghezza

4.82 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, la serie MOSFET SUPERFET III Easy drive aiuta a gestire problemi di EMI e facilita l'implementazione dei progetti.

700 V a TJ = 150°C.

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 78 nC)

Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)

Capacità PPAP

Tip. RDS(on) = 63 mΩ

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Minore perdita di commutazione

Capacità PPAP

Applicazioni

Convertitore CC/CC HV

Prodotti finali

Caricabatteria di bordo

Convertitore CC/CC

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