MOSFET onsemi, canale N, 107 mΩ, 44 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 186-1280
- Codice costruttore:
- NVB072N65S3
- Costruttore:
- onsemi
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)
4,164 €
(IVA esclusa)
5,08 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 4,164 € | 3.331,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-1280
- Codice costruttore:
- NVB072N65S3
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Non conforme
Dettagli prodotto
MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, la serie MOSFET SUPERFET III Easy drive aiuta a gestire problemi di EMI e facilita l'implementazione dei progetti.
700 V a TJ = 150°C.
Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 78 nC)
Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)
Capacità PPAP
Tip. RDS(on) = 63 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Capacità PPAP
Applicazioni
Convertitore CC/CC HV
Prodotti finali
Caricabatteria di bordo
Convertitore CC/CC
Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 78 nC)
Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)
Capacità PPAP
Tip. RDS(on) = 63 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Capacità PPAP
Applicazioni
Convertitore CC/CC HV
Prodotti finali
Caricabatteria di bordo
Convertitore CC/CC
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 44 A |
| Tensione massima drain source | 650 V |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 107 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4.5V |
| Tensione di soglia gate minima | 2.5V |
| Dissipazione di potenza massima | 312 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | ±30 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Larghezza | 9.65mm |
| Lunghezza | 10.67mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 82 nC @ 10 V. |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q101 |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Tensione diretta del diodo | 1.2V |
| Altezza | 4.58mm |
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