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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	44A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	SuperFET III MOSFET Easy-drive
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	107mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	312W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	82nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	4.58mm
	Larghezza	9.65 mm
	Lunghezza	10.67mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 44A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie SuperFET III MOSFET Easy-drive
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 107mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 312W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 82nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 4.58mm
	Larghezza 9.65 mm
	Lunghezza 10.67mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet NVB072N65S3

Non conforme

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, la serie MOSFET SUPERFET III Easy drive aiuta a gestire problemi di EMI e facilita l'implementazione dei progetti.

700 V a TJ = 150°C.

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 78 nC)

Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)

Capacità PPAP

Tip. RDS(on) = 63 mΩ

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Minore perdita di commutazione

Capacità PPAP

Applicazioni

Convertitore CC/CC HV

Prodotti finali

Caricabatteria di bordo

Convertitore CC/CC

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 107 mΩ Miglioramento, 44 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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