MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
195-2517
Codice costruttore:
NVB150N65S3F
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Dissipazione di potenza massima Pd

192W

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.58mm

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo del corpo del MOSFET SUPERFET® possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

701 V @ TJ = 150 °C.

Tip. RDS(ON) = 114 m.

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 18 nC)

Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)

Questi dispositivi sono senza piombo

Applications

Caricabatteria Di Bordo Per Uso Automobilistico

Convertitore c.c./c.c. per uso automobilistico per HEV

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