MOSFET onsemi, canale N, 150 mΩ, 24 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo del corpo del MOSFET SUPERFET® possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

700 V @ TJ = 150 °C.
Tip. RDS(ON) = 114 m.
Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 18 nC)
Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)
Questi dispositivi sono senza piombo
Applications
Caricabatteria Di Bordo Per Uso Automobilistico
Convertitore c.c./c.c. per uso automobilistico per HEV