MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NVB150N65S3F

Codice RS:: 195-2518
Codice costruttore:: NVB150N65S3F
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NVB150N65S3F

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

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Codice RS:: 195-2518
Codice costruttore:: NVB150N65S3F
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	24A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	150mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd	192W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	43nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	4.58mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	9.65mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 24A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd 192W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 4.58mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 9.65mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet NVB150N65S3F

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo del corpo del MOSFET SUPERFET® possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

701 V @ TJ = 150 °C.

Tip. RDS(ON) = 114 m.

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 18 nC)

Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)

Questi dispositivi sono senza piombo

Applications

Caricabatteria Di Bordo Per Uso Automobilistico

Convertitore c.c./c.c. per uso automobilistico per HEV

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NVB150N65S3F

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