Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	82mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	313W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	81nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30 V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	9.65 mm
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	4.58mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 82mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 313W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 81nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 9.65 mm
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 4.58mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet NVB082N65S3F

Non conforme

SUPERFET® III MOSFET on Semiconductor è la nuovissima famiglia di MOSFET a giunzione ad alta tensione (SJ) che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per garantire una bassa resistenza di accensione e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e la maggiore efficienza. SUPERFET III FRFET® MOSFET: Le prestazioni ottimali di recupero inverso del diodo di body possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

700 V a TJ = 150°C.

Tip. RDS(on) = 64 m

Carica Ultra Low Gate (tip. QG = 81 nC)

Capacità di uscita a bassa efficacia (tip. COSS(eff.) = 722 pF)

Questi dispositivi sono senza piombo

Applicazioni tipiche

Caricabatteria di bordo per auto

Convertitore DC/DC per HEV

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 82 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Link consigliati