MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 186-1271
Codice costruttore:: NTB110N65S3HF
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

2826,40 €

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Codice RS:: 186-1271
Codice costruttore:: NTB110N65S3HF
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	110mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	62nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	240W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	10.67mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	4.58mm
	Larghezza	9.65mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 62nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 240W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 10.67mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 4.58mm
	Larghezza 9.65mm
	Standard automobilistico No

Datasheet NTB110N65S3HF

Non conforme

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo corpo del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

700 V a TJ = 150 °C

Carica Gate Ultra Bassa (Tip. QG = 62 nC)

Bassa Capacità Di Uscita Effettiva (Tip. COSS(eff.) = 522 pF)

Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)

Capacità ottimizzata

Tip. RDS(ON) = 98 mΩ

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Minore perdita di commutazione

Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Applications

Telecomunicazioni

Sistema Cloud

Industriale

Prodotti finali

Alimentazione per le telecomunicazioni

Alimentazione per server

Caricabatterie EV

Solare/UPS

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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