MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 30 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo corpo del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

700 V a TJ = 150 °C
Carica Gate Ultra Bassa (Tip. QG = 62 nC)
Bassa Capacità Di Uscita Effettiva (Tip. COSS(eff.) = 522 pF)
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Capacità ottimizzata
Tip. RDS(ON) = 98 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Applications
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Prodotti finali
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS