MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NTB110N65S3HF
- Codice RS:
- 186-1500
- Codice costruttore:
- NTB110N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
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- 186-1500
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- NTB110N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 110mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 240W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 62nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.58mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 240W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 62nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.58mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Non conforme
MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo corpo del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.
700 V a TJ = 150 °C
Carica Gate Ultra Bassa (Tip. QG = 62 nC)
Bassa Capacità Di Uscita Effettiva (Tip. COSS(eff.) = 522 pF)
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Capacità ottimizzata
Tip. RDS(ON) = 98 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Applications
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Prodotti finali
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS
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