MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 199 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
172-3419
Codice costruttore:
FCB199N65S3
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

FCB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

199mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Dissipazione di potenza massima Pd

98W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.

700 V a TJ= 150 °C

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 30 nC)

Minore perdita di commutazione

Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 277 pF)

Minore perdita di commutazione

Capacità ottimizzata

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Resistenza di gate interna: 7,0 ohm

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Tip. RDS(on) = 170 mΩ

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