MOSFET onsemi, canale N, 199 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 172-4630
Codice costruttore:: FCB199N65S3
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 199 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 10**

2,90 €

(IVA esclusa)

3,54 €

(IVA inclusa)

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 3 giorni lavorativi a partire dal 24/07/2025.*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
10 - 90	2,90 €	29,00 €
100 - 240	2,50 €	25,00 €
250 +	2,167 €	21,67 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 172-4630
Codice costruttore:: FCB199N65S3
Costruttore:: onsemi

Datasheets
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	14 A
Tensione massima drain source	650 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	199 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	98 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±30 V
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	30 nC a 10 V
Larghezza	9.65mm
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 199 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Link consigliati