MOSFET e diodo onsemi, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie FCB125N65S3
- Codice RS:
- 205-2470
- Codice costruttore:
- FCB125N65S3
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 205-2470
- Codice costruttore:
- FCB125N65S3
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 24A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 125mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 46nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 181W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Lunghezza | 14.6mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 24A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 125mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 181W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.6mm | ||
Lunghezza 14.6mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N serie SUPERFET III ON Semiconductor è una famiglia di MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo e prestazioni di carica di gate inferiore. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.
Corrente nominale di drain continua di 24A
Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 125mohm
Carica di gate ultra bassa
Bassa energia immagazzinata nella capacità di uscita
Testato con effetto valanga al 100%
Il tipo di contenitore è D2-PAK
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