MOSFET e diodo onsemi, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie FCB125N65S3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
205-2470
Codice costruttore:
FCB125N65S3
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Serie

SUPERFET III

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

181W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

4.6mm

Lunghezza

14.6mm

Larghezza

9.6mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N serie SUPERFET III ON Semiconductor è una famiglia di MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo e prestazioni di carica di gate inferiore. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Corrente nominale di drain continua di 24A

Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 125mohm

Carica di gate ultra bassa

Bassa energia immagazzinata nella capacità di uscita

Testato con effetto valanga al 100%

Il tipo di contenitore è D2-PAK

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