MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 24 A, 4 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
185-7980
Codice costruttore:
FCMT125N65S3
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

FCMT

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

181W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8 mm

Lunghezza

8mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

No

Non conforme

Paese di origine:
PH
700 V a TJ= 150 °C

Contenitore SMD ultrasottile senza terminali

Contatto Kelvin

Carica Gate Ultra Bassa (Tip. QG = 49 nC)

Bassa Capacità Di Uscita Effettiva (Tip. COSS(eff.) = 406 pF)

Capacità ottimizzata

Tip. RDS(ON) = 100 mΩ

Resistenza Interna Del Gate: 0,5 Ω

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Alta densità di potenza

Bassa rumorosità del gate e perdita di commutazione

Bassa perdita di commutazione

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Applications

Telecomunicazioni

Sistema Cloud

Industriale

Prodotti finali

Alimentazione per le telecomunicazioni

Alimentazione per server

Illuminazione LED

Adattatore

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