MOSFET onsemi, canale N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 24 A, 4 Pin, PQFN, Superficie FCMT125N65S3

Visualizza MOSFET
Scorte limitate
A causa di una carenza di approvvigionamento a livello mondiale, non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
185-9219
Codice costruttore:
FCMT125N65S3
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PQFN

Serie

FCMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

181W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8mm

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Non conforme

Paese di origine:
PH
700 V a TJ= 150 °C

Contenitore SMD ultrasottile senza terminali

Contatto Kelvin

Carica Gate Ultra Bassa (Tip. QG = 49 nC)

Bassa Capacità Di Uscita Effettiva (Tip. COSS(eff.) = 406 pF)

Capacità ottimizzata

Tip. RDS(ON) = 100 mΩ

Resistenza Interna Del Gate: 0,5 Ω

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Alta densità di potenza

Bassa rumorosità del gate e perdita di commutazione

Bassa perdita di commutazione

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Applications

Telecomunicazioni

Sistema Cloud

Industriale

Prodotti finali

Alimentazione per le telecomunicazioni

Alimentazione per server

Illuminazione LED

Adattatore

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.