MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 20 A, 4 Pin, PQFN, Superficie NTMT190N65S3HF

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Codice RS:
221-6740
Codice costruttore:
NTMT190N65S3HF
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PQFN

Serie

NTMT190N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

162W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.1mm

Larghezza

1.1 mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è dotato di famiglia MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−−e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Carica di gate ultra bassa

Bassa capacità di uscita effettiva di 316 pF

Testato con effetto valanga al 100%

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