MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 20 A, 4 Pin, PQFN, Superficie NTMT190N65S3HF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6740
Codice costruttore:
NTMT190N65S3HF
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NTMT190N

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

162W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.1mm

Larghezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è dotato di famiglia MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−−e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Carica di gate ultra bassa

Bassa capacità di uscita effettiva di 316 pF

Testato con effetto valanga al 100%

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