MOSFET onsemi, canale N 650 V, 360 mΩ Miglioramento, 10 A, 4 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
195-2502
Codice costruttore:
FCMT360N65S3
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

FCMT

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8mm

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET SuperFET® III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia è personalizzata per ridurre al minimo la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, velocità dv/dt e una maggiore energia dell'effetto valanga. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per le applicazioni di potenza di commutazione come server/alimentazione di telecomunicazione, adattatore e inverter solare. Il contenitore Power88 è un contenitore a montaggio superficiale ultra-sottile (altezza 1mm) con un profilo basso e un ingombro ridotto (8 * 8 mm2). MOSFET SUPERFET III in contenitore Power88 che offre eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla minore induttanza parassita della sorgente e alle fonti di alimentazione e azionamento separate.

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