MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 360 mΩ Miglioramento, 10 A, 4 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
195-2502
Codice costruttore:
FCMT360N65S3
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

FCMT

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8 mm

Altezza

1.05mm

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET SuperFET® III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia è personalizzata per ridurre al minimo la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, velocità dv/dt e una maggiore energia dell'effetto valanga. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per le applicazioni di potenza di commutazione come server/alimentazione di telecomunicazione, adattatore e inverter solare. Il contenitore Power88 è un contenitore a montaggio superficiale ultra-sottile (altezza 1mm) con un profilo basso e un ingombro ridotto (8 * 8 mm2). MOSFET SUPERFET III in contenitore Power88 che offre eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla minore induttanza parassita della sorgente e alle fonti di alimentazione e azionamento separate.

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