MOSFET e diodo onsemi, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
205-2469
Codice costruttore:
FCB125N65S3
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SUPERFET III

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

181W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

4.6mm

Larghezza

9.6 mm

Lunghezza

14.6mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N serie SUPERFET III ON Semiconductor è una famiglia di MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo e prestazioni di carica di gate inferiore. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Corrente nominale di drain continua di 24A

Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 125mohm

Carica di gate ultra bassa

Bassa energia immagazzinata nella capacità di uscita

Testato con effetto valanga al 100%

Il tipo di contenitore è D2-PAK

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