MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 65 mΩ Miglioramento, 46 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 214-8892
- Codice costruttore:
- NTHL065N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 214-8892
- Codice costruttore:
- NTHL065N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 46A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 65mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 337W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 98nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 21.1mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 46A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 337W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 98nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 5.1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 21.1mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET on Semiconductor è una nuova famiglia di MOSFET a giunzione super−−ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo e prestazioni di carica del gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.
Senza piombo
Conformità RoHS
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