MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 65 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL040N65S3F

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Codice RS:
178-4448
Codice costruttore:
NTHL040N65S3F
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NTHL

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

158nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

446W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.87mm

Altezza

20.82mm

Larghezza

4.82 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ TJ = 150

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

Benefits

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

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