MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 65 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL040N65S3F

Codice RS:: 178-4448
Codice costruttore:: NTHL040N65S3F
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 65 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL040N65S3F

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Codice RS:: 178-4448
Codice costruttore:: NTHL040N65S3F
Costruttore:: onsemi

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	65A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	NTHL
	Tipo di package	TO-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	40mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	446W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	158nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	20.82mm
	Lunghezza	15.87mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 65A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie NTHL
	Tipo di package TO-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 446W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 158nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 20.82mm
	Lunghezza 15.87mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ TJ = 150

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

Benefits

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 65 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL040N65S3F

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