- Codice RS:
- 178-4448
- Codice costruttore:
- NTHL040N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Unità
14,78 €
(IVA esclusa)
18,03 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 9 | 14,78 € |
10 - 99 | 12,79 € |
100 - 249 | 12,46 € |
250 - 499 | 12,15 € |
500 + | 11,83 € |
Alternativa
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- Codice RS:
- 178-4448
- Codice costruttore:
- NTHL040N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 32 mΩ
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
Benefits
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
End Products
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
700 V @ TJ = 150
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 32 mΩ
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
Benefits
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
End Products
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 65 A |
Tensione massima drain source | 650 V |
Tipo di package | TO-247 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 40 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 5V |
Tensione di soglia gate minima | 3V |
Dissipazione di potenza massima | 446 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | ±30 V |
Larghezza | 4.82mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 158 nC a 10 V |
Lunghezza | 15.87mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 20.82mm |
Tensione diretta del diodo | 1.3V |
- Codice RS:
- 178-4448
- Codice costruttore:
- NTHL040N65S3F
- Costruttore:
- onsemi