MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247, Su foro

MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.

700 V a TJ= 150 °C
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 78 nC)
Minore perdita di commutazione
Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)
Minore perdita di commutazione
Capacità ottimizzata
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
RDS(on) = 62 mΩ
Garanzia di saldatura a onda
Elaborazione
Telecomunicazioni
Industriale
Telecomunicazioni/Server
Inverter solari/UPS
EVC