MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 29 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante FCH029N65S3-F155

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8791
Codice costruttore:
FCH029N65S3-F155
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

FCH029N

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

463W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

201nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.9mm

Larghezza

21.1 mm

Altezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

These Devices are Pb-Free and are RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET on Semiconductor è una nuova famiglia di MOSFET a giunzione super−−ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo e prestazioni di carica del gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Senza piombo

Conformità RoHS

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