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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	75A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	FCH023N65S3
	Tipo di package	TO-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	23mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	595W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	222nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	±30 V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	15.87mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	20.82mm
	Larghezza	4.82 mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 75A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie FCH023N65S3
	Tipo di package TO-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 23mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 595W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 222nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 15.87mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 20.82mm
	Larghezza 4.82 mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.

700 V a TJ= 150 °C

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 78 nC)

Minore perdita di commutazione

Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)

Minore perdita di commutazione

Capacità ottimizzata

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

RDS(on) = 62 mΩ

Garanzia di saldatura a onda

Elaborazione

Telecomunicazioni

Industriale

Telecomunicazioni/Server

Inverter solari/UPS

EVC

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 23 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante FCH023N65S3-F155

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