MOSFET onsemi, canale N, 125 mΩ, 24 A, TO-247, Su foro

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, la serie MOSFET SUPERFET III Easy drive aiuta a gestire problemi di EMI e facilita l'implementazione dei progetti.

700 V a TJ= 150 °C
Bassa capacità di uscita effettiva (tip. Coss(eff.) = 439 pF)
Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 46 nC)
Capacità ottimizzata
Tip. RDS(on) = 105 mΩ
Resistenza di gate interna: 0,5 Ω
Vantaggi:
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Bassa perdita di commutazione
Bassa perdita di commutazione
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Applicazioni:
Elaborazione
Consumatore
Industriale
Prodotti finali:
Notebook/computer desktop/console di gioco
Telecomunicazioni/Server
UPS/energia solare
Illuminazione/resistenza a LED