MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 65 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 178-4253
- Codice costruttore:
- NTHL040N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Scorte limitate
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- Codice RS:
- 178-4253
- Codice costruttore:
- NTHL040N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 65A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 158nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 446W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 65A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie NTHL | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 158nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 446W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 20.82mm | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 32 mΩ
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
Benefits
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
End Products
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
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