MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 62 A, 4 Pin, TO-247, Superficie

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Codice RS:
230-9084
Codice costruttore:
NTH4LN040N65S3H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

SUPERFET III

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

132nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

379W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

13.28mm

Lunghezza

10.2mm

Larghezza

2.4 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET serie SUPERFET III on Semiconductor è una nuova famiglia di MOSFET a giunzione super−(SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo− e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, la serie MOSFET SUPERFET III FAST contribuisce a ridurre al minimo i vari sistemi di potenza e a migliorare l'efficienza del sistema.

Testato al 100% con effetto valanga

Conformità RoHS

Tip. RDS(ON) = 32 mΩ

Resistenza di gate interna: 0,7 Ω

Carica di gate ultra bassa (tip. QG = 132 NC)

700 V a TJ= 150 °C

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