MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

Codice RS:: 178-4256
Codice costruttore:: NTHL110N65S3F
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Unità	Per unità	Per Tubo*
30 - 90	3,662 €	109,86 €
120 - 240	3,563 €	106,89 €
270 - 480	3,469 €	104,07 €
510 - 990	3,38 €	101,40 €
1020 +	3,295 €	98,85 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-4256
Codice costruttore:: NTHL110N65S3F
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	NTHL
	Tipo di package	TO-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	110mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	58nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd	240W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	20.82mm
	Larghezza	4.82mm
	Lunghezza	15.87mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie NTHL
	Tipo di package TO-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 58nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd 240W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 20.82mm
	Larghezza 4.82mm
	Lunghezza 15.87mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features:

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products:

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

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